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意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器提升智能邊緣設備的性能和能效
- 意法半導體的 Page EEPROM兼備EEPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫(xiě)速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應用場(chǎng)景提供了一個(gè)混合存儲器。嵌入式系統需要支持日益復雜的先進(jìn)功能，運行數據密集型的邊緣 AI 算法，意法半導體的新存儲器可以滿(mǎn)足嵌入式應用對存儲容量的日益增長(cháng)的需求。例如，在耳背式助聽(tīng)器中，Page EEPROM可以降低物料清單成本，讓助聽(tīng)器變得更纖薄，佩戴更舒適。除了可穿戴設備外，Page EEPROM 還是醫療設備、資產(chǎn)追蹤器、電動(dòng)自行車(chē)以及其他工業(yè)和消費產(chǎn)品等應用的理想選
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 Page EEPROM
avr eeprom保護方法.
- 在項目中復制出來(lái)的程序，使用時(shí)可能有些地方需要修改。編譯環(huán)境：WinAVR-20060421+AVRStudio4.12.498ServicePack4基本思路：每份寫(xiě)到EEPRM的數據，都做三個(gè)備份，每個(gè)備份的數據都做CRC16校驗，只要系統運行中出錯，錯誤地修改了EEPROM數據，那么根據校驗字節就知道哪個(gè)備份的數據被修改了，然后用正確的備份覆蓋出錯的備份，達到數據恢復的目的。EEPROMSave.h文件：#defineEepromPageSize 64 //頁(yè)容量定義#defineEepromPag
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EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！
- 前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類(lèi)：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠(chǎng)什么內容就永遠什么內容，不靈活。后來(lái)出現了prom，可以自己寫(xiě)入一次，要是寫(xiě)錯了，只能換一片，自認倒霉。人類(lèi)文明不斷進(jìn)步，終于出現了可多次擦除寫(xiě)入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線(xiàn)上照一下，想一下你往單片機上下了一個(gè)程序之后發(fā)現有個(gè)地方需要加一句話(huà)，為此你要把單片機放紫外燈下照半小時(shí)
- 關(guān)鍵字： 存儲器 flash EEPROM
MSPM0在指定Flash地址開(kāi)辟模擬EEPROM
- 在嵌入式系統中，諸如變頻器和伺服驅動(dòng)器等工業(yè)應用，乃至CD播放器等眾多消費電子產(chǎn)品，都需要保存最近的用戶(hù)設置，在下次上電后加載使用。如果使用MCU內置Flash，一般擦寫(xiě)次數限制在10k次，無(wú)法滿(mǎn)足壽命和耐久性要求，所以只能通過(guò)外置EEPROM實(shí)現。TI新推出的MSPM0系列MCU支持使用Flash模擬EEPROM，在小容量存儲需求的場(chǎng)合能節省外部EEPROM芯片，實(shí)現成本控制。MSPM0系列MCU的Flash容量覆蓋16KB到128KB，其中低32KB的Flash區域支持10萬(wàn)次擦寫(xiě)，而剩余區域支持1萬(wàn)
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復旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品
- 4月27日，上海復旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線(xiàn)上發(fā)布會(huì )，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車(chē)規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿(mǎn)足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于工規、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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復旦微電子推出低功耗超寬電壓I2C串行EEPROM
- 上海復旦微電子集團股份有限公司近日推出了低功耗超寬電壓FM24LNXXX系列I2C串行EEPROM存儲器，可滿(mǎn)足CCM、白電、電表儀器、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)應用領(lǐng)域的應用需求。該系列首批容量包含FM24LN64（64Kbit）和FM24LN128（128Kbit）兩個(gè)型號。產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍，溫度覆蓋-40℃~+85℃，全電壓范圍內均支持400KHz/1MHz工作頻率，5.5V下典型待機電流小于1uA，讀寫(xiě)電流不超過(guò)0.8mA，產(chǎn)品滿(mǎn)足400萬(wàn)次擦寫(xiě)次數和數據保存100年的高可靠性
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富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM
- 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現已開(kāi)始供應。?此款FRAM非易失性?xún)却嬖谶\作溫度范圍內能保證10兆次讀 / 寫(xiě)次數，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數據或定位數據等，這類(lèi)需要持續且頻繁的數據記錄。由于該內存屬于非易失性，并且具有高速寫(xiě)入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫(xiě)入的數據也能完整保留不會(huì )遺失。
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富士通電子將自9月推出業(yè)內最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品
- 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開(kāi)發(fā)，將于今年9月開(kāi)始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性?xún)却?，能?.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均
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EEPROM和EPROM的區別在哪里？
- EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器，是一種掉電后數據不丟失的存儲芯片，EEPROM可以在電腦上或專(zhuān)用設備上擦除已有信息，重新編程，一般用在即插即用。EPROM是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片，它是一組浮柵晶體管，被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強紫外線(xiàn)照射來(lái)擦除，通過(guò)封裝頂部能看見(jiàn)硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個(gè)窗口同時(shí)用來(lái)進(jìn)行紫外線(xiàn)擦除?！ ∫?、EEPROM和EPROM的發(fā)展歷程不同 在微機的發(fā)展初期，BIOS都
- 關(guān)鍵字： EEPROM EPROM
支持下一代特性的真正的汽車(chē)0級認證和低壓1級汽車(chē)級EEPROM
- 在當今時(shí)代，我們的出行需要汽車(chē)等交通工具，與其說(shuō)追求汽車(chē)的多功能和花哨，我們所依賴(lài)的更多功能現在被考慮為安全至上，這意味著(zhù)它們必須滿(mǎn)足更高的要求。集成電路處于惡劣的環(huán)境中，不叫不容易把握，最常見(jiàn)的可能也是汽車(chē)。在汽車(chē)行業(yè)，常需設計能承受溫度達+125°C的電子控制單元以實(shí)現安全至上的特性，對于滿(mǎn)足這一要求的器件，行業(yè)標準是AECQ-100汽車(chē)1級，其中1級指該器件已經(jīng)過(guò)在-40°C到+125°C之間的環(huán)境溫度范圍內運行的測試?！ ∵@很重要，因為器件的數據表通常將說(shuō)明在+25℃的環(huán)境溫度下的性能，并顯示
如何在Linux環(huán)境下設計基于I2C總線(xiàn)的EEPROM 驅動(dòng)程序？
- 1 引言I2C (Inter-Integrated Circuit1總線(xiàn)是一種由Philips公司開(kāi)發(fā)的2線(xiàn)式串行總線(xiàn)，用于連接微控制器及其外圍設備。它是同步通信的一種特殊形式，
- 關(guān)鍵字： Linux I2C總線(xiàn) EEPROM 驅動(dòng)程序
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